[1]张 明.大功率半导体器件的可靠性评估[J].控制与信息技术,2015,(01):1-9.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.01.001]
 ZHANG Ming.Reliability Evaluation of High Power Semiconductors[J].High Power Converter Technology,2015,(01):1-9.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.01.001]
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大功率半导体器件的可靠性评估()
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《控制与信息技术》[ISSN:2095-3631/CN:43-1486/U]

卷:
期数:
2015年01期
页码:
1-9
栏目:
综述·评论
出版日期:
2015-02-05

文章信息/Info

Title:
Reliability Evaluation of High Power Semiconductors
文章编号:
2095-3631(2015)01-0001-09
作者:
张 明
株洲南车时代电气股份有限公司
Author(s):
ZHANG Ming
Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.,
关键词:
可靠性失效率IGCT加速试验
Keywords:
reliability failure rate IGCT acceleration test
分类号:
TN306
DOI:
10.13889/j.issn.2095-3631.2015.01.001
文献标志码:
A
摘要:
文章从可靠性的数学、物理基础出发,描述了现代可靠性工程,介绍了功率半导体的可靠性问题。以4045型IGCT器件为例,阐述了3种重要的加速试验,得到了相应的失效率曲线,给了计算实例。
Abstract:
It described the modern reliability engineering based on math and physics. The reliability problems of power semiconductor devices were introduced. Three major acceleration tests were described by means of 4045 IGCT device and related failure rate curves were gained and some calculating instances were given as well.

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期:2014-06-20
作者简介:张明(1955-),男,教授级高级工程师,长期从事可关断电力半导体器件的研发工作。
更新日期/Last Update: 2016-01-08