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    作者中包括 LI Chengzhan 的文章

1 4H-SiC 栅氧氮化工艺优化
陈喜明 1, 2, 3, 李诚瞻1, 3,赵艳黎1, 3,邓小川2,张 波2 2016年05期 [41-45][摘要](805)[pdf 512KB](13)
2 单极型SiC 功率器件的最优漂移区解析模型
蒋华平 1, 2,李诚瞻1,吴煜东1 2015年06期 [38-40][摘要](456)[pdf 398KB](6)
3 SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析
赵艳黎1,李诚瞻1,蒋华平1,许恒宇2 2015年01期 [36-38][摘要](423)[pdf 797KB](6)