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    关键词中包括 4H-SiC 的文章

1 1 200 V 4H-SiC 结势垒肖特基二极管温度特性研究
袁 昊1,宋庆文2,汤晓燕1,元 磊1,张义门1,张玉明1 2016年05期 [59-61][摘要](695)[pdf 441KB](10)
2 4H-SiC 栅氧氮化工艺优化
陈喜明 1, 2, 3, 李诚瞻1, 3,赵艳黎1, 3,邓小川2,张 波2 2016年05期 [41-45][摘要](740)[pdf 512KB](13)