[1]史晶晶,等.1 700 V SiC SBD 器件的研制[J].控制与信息技术,2016,(05):51-54.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.010]
 SHI Jingjing,ZHOU Zhengdong,et al.Development of 1 700 V SiC SBD Device[J].High Power Converter Technology,2016,(05):51-54.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.010]
点击复制

1 700 V SiC SBD 器件的研制()
分享到:

《控制与信息技术》[ISSN:2095-3631/CN:43-1486/U]

卷:
期数:
2016年05期
页码:
51-54
栏目:
电力电子器件
出版日期:
2016-10-05

文章信息/Info

Title:
Development of 1 700 V SiC SBD Device
文章编号:
2095-3631(2016)05-0051-04
作者:
史晶晶 1 2周正东1 2高云斌1 2吴 佳1 2
(1. 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲 412001;2. 株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲 412001)
Author(s):
SHI Jingjing 1 2ZHOU Zhengdong 1 2GAO Yunbin 1 2WU Jia 1 2
( 1. State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices, Zhuzhou, Hunan 412001, China; 2. Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd., Zhuzhou, Hunan 412001, China )
关键词:
SiC SBD 器件欧姆接触钝化工艺高温可靠性
Keywords:
SiC SBD device ohmic contact passivation high-temperature reliability
分类号:
TN304.2+4
DOI:
10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.010
文献标志码:
A
摘要:
  介绍了1 700 V SiC SBD 器件的结构设计、制造工艺、静态特性测试及可靠性摸底试验。通过模拟仿真得到了最佳的漂移区结构和器件结构;针对器件制造工艺中的钝化和金属化两项关键工艺进行原理分析和优化;对器件进行了正向和反向静态参数测试,表明器件耐压水平超过1 700 V,正向电流密度为118 A/cm2;最后对器件进行了可靠性摸底试验,结果显示20 只器件均通过了100 个循环的温度冲击试验及168 h 的高温反偏试验。
Abstract:
It presented the structure design, manufacture technology and static performance test of 1 700 V SiC SBD devices. The epitaxy material structure and device structure were obtained by simulation,two key processes including passivation and metalation were analyzed and optimized. Forward and reverse static performances of the devices were tested, and the test results indicated that the blocking voltage was over 1 700 V and the current density was 118 A/cm2. In addition, all the devices passed the 100-cycle temperature shock test and 168 h high-temperature reverse bias.

参考文献/References:

[1] ZHU L, CHOW T P.Advanced High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55(8):1871-1874.
[2] HULL B A, SUMAKERIS J J, O’LOUGHLIN M J,et al. Performance and Stability of Large-Area 4H-SiC 10 kV Junction Barrier Schottky Rectifiers[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55(8):1864-1870.
[3] 苗志坤,李天琪,徐立坤 . 4H-SiC TSOB 结势垒肖特基二极管静态特性[J]. 电子科技,2013,26(8):26-29.
[4]李俊楠,战可涛. 新型4H-SiC 肖特基二极管的仿真与分析[J]. 北京化工大学学报( 自然科学版),2012,39(4):117-121.
[5] 吴昊,杨霏,于坤山. 1 000 V 4H-SiC JBS 功率二极管元胞[J]. 微电子技术,2013,50(11):695-670.
[6] NEAMEN D A. 半导体物理与器件[M]. 赵毅强,姚素英,解晓东,译. 3 版. 北京:电子工业出版社,2011.
[7] 刘侠,夏小娟,孙伟峰. 钝化层质量对高压功率器件可靠性的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2009,29(7):465-568.
[8] 赵晨光,刘肃,姜岩峰. P 型SiC 欧姆接触高温可靠性的研究进展[J]. 电力电子技术,2007,41(6):99-101.
[9] 冯士维,张跃宗,孟海杰,等. 基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法[J]. 北京工业大学学报,2008,34(12):1254- 1257.
[10] 闫锐,杨霏,陈昊,等 . 4H-SiC SBD 和JBS 退火研究[J]. 微纳电子技术,2009,46(7):433-436.

相似文献/References:

[1]吴 佳,王弋宇,杨 程,等.高品质因数SiC PiN 二极管的研制[J].控制与信息技术,2016,(05):55.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.011]
 WU Jia,WANG Yiyu,YANG Cheng,et al.Development of High-FOM SiC PiN Diodes[J].High Power Converter Technology,2016,(05):55.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.011]

备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期:2016-07-05
 作者简介:史晶晶(1982-),女,博士,工程师,从事SiC 器件研发工作。
基金项目:国家863 计划(SS2014AA052402)
更新日期/Last Update: 2016-11-01