[1]曾 宏,陈修林,王三虎,等.一种新型 GCT 开通驱动电路拓扑[J].控制与信息技术,2015,(06):25-28.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.06.005]
 ZENG Hong,CHEN Xiulin,WANG Sanhu,et al.A New Drive Circuit Topology for GCT Turning-on[J].High Power Converter Technology,2015,(06):25-28.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.06.005]
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一种新型 GCT 开通驱动电路拓扑()
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《控制与信息技术》[ISSN:2095-3631/CN:43-1486/U]

卷:
期数:
2015年06期
页码:
25-28
栏目:
专题
出版日期:
2015-12-30

文章信息/Info

Title:
A New Drive Circuit Topology for GCT Turning-on
文章编号:
2095-3631(2015)06-0025-04
作者:
曾 宏陈修林王三虎张顺彪王富光王玉杰
南车株洲电力机车研究所有限公司
Author(s):
ZENG HongCHEN XiulinWANG SanhuZHANG ShunbiaoWANG FuguangWANG Yujie
CSR Zhuzhou Institute Co.,Ltd.,
关键词:
IGCT开通特性门驱单元GCT
Keywords:
IGCT turn-on characteristic gate drive unitGCT
分类号:
TN34
DOI:
10.13889/j.issn.2095-3631.2015.06.005
文献标志码:
A
摘要:
为了满足更大功率等级GCT 器件对开通性能的需求, 提出了一种用于IGCT 门极驱动单元的新型开通驱动电路拓扑,并通过原理介绍、对比分析及样机测试表明,该拓扑在电路结构、控制信号数量、开通准备时间、 IGCT 响应速度等方面均优于原拓扑,大幅提高了IGCT 的整体性能。
Abstract:
In order to meet the turning-on performance of higher power level GCT device, it introduced a new turning-on drive circuit topology for IGCT gate drive unit. Principle introduction, comparing analysis and model board testing have been made to show that this topology is superior to the original one, such as circuit structure, the number of controlling signals, preparation time of IGCT turning-on and the response speed of IGCT, which greatly improves the total performance of IGCT.

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期:2015-08-13
作者简介:曾宏(1987- ),男,工程师,主要从事IGCT 门极驱动及开关电源开发工作。
更新日期/Last Update: 2016-03-24