[1]颜骥,雷云,任亚东,等.一种应用于脉冲功率领域的IGCT[J].控制与信息技术,2012,(06):5-9.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2012.06.002]
 YAN Ji,LEI Yun,REN Ya-dong,et al.Application of a IGCT for Pulsed Power[J].High Power Converter Technology,2012,(06):5-9.[doi:10.13889/j.issn.2095-3631.2012.06.002]
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一种应用于脉冲功率领域的IGCT()
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《控制与信息技术》[ISSN:2095-3631/CN:43-1486/U]

卷:
期数:
2012年06期
页码:
5-9
栏目:
电力电子器件与应用
出版日期:
2012-12-05

文章信息/Info

Title:
Application of a IGCT for Pulsed Power
文章编号:
2095-3631(2012)06-0005-05
作者:
颜骥雷云任亚东潘学军曾文彬余伟熊思宇
株洲南车时代电气股份有限公司
Author(s):
YAN JiLEI YunREN Ya-dongPAN Xue-junZENG Wen-binYU WeiXIONG Si-yu
(Zhuzhou CSR Times Electric Co.,Ltd., Zhuzhou, Hunan 412001,China)
关键词:
脉冲功率技术功率半导体器件IGCT串联
Keywords:
pulsed power technology power semiconductor device IGCT series
分类号:
TM34
DOI:
10.13889/j.issn.2095-3631.2012.06.002
文献标志码:
A
摘要:
介绍一种适用于脉冲功率领域的大功率半导体器件IGCT,简述IGCT 器件及其结构,IGCT 器件的通流能力强、di/dt 高,适于脉冲功率领域应用。进行了脉冲放电的试验并讨论了IGCT 的串联应用技术。
Abstract:
It introduced a power semiconductor (IGCT) applied in pulsed power, including the device and the structure. IGCT is suitable for pulsed power applications owing to high current and high di/dt capability. Pulse discharge test was completed and then applications of the IGCT in series were discussed.

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期:2012- 08- 21
作者简介:颜骥(1 9 7 8- ),男,工程师,主要从事大功率半导体器件应用及测试技术研究。
更新日期/Last Update: 2016-10-10